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文献
J-GLOBAL ID:200902172625467923   整理番号:00A0086125

a-Si:H膜蒸着に用いるシランプラズマ中の原子状水素温度

Atomic hydrogen temperature in silane plasmas used for the deposition of a-Si:H films.
著者 (6件):
MIYAZAKI K
(Kurume National Coll. Technol., Fukuoka, JPN)
KAJIWARA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
UCHINO K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
MURAOKA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
OKADA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
MAEDA M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻: 17  号:ページ: 3197-3201  発行年: 1999年11月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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