文献
J-GLOBAL ID:200902172625467923
整理番号:00A0086125
a-Si:H膜蒸着に用いるシランプラズマ中の原子状水素温度
Atomic hydrogen temperature in silane plasmas used for the deposition of a-Si:H films.
著者 (6件):
MIYAZAKI K
(Kurume National Coll. Technol., Fukuoka, JPN)
,
KAJIWARA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
UCHINO K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MURAOKA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OKADA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MAEDA M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
17
号:
6
ページ:
3197-3201
発行年:
1999年11月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)