文献
J-GLOBAL ID:200902172939281395
整理番号:93A0709894
Strained layer InxGa1-xAs / GaAs and InxGa1-xAs / InyGa1-yP multiple quantum well optical modulators grown by gas-source MBE.
著者 (6件):
KIM J W
(Colorado State Univ., CO)
,
CHEN C W
(Colorado State Univ., CO)
,
VOGT T J
(Colorado State Univ., CO)
,
WOODS L M
(Colorado State Univ., CO)
,
ROBINSON G Y
(Colorado State Univ., CO)
,
LILE D L
(Colorado State Univ., CO)
資料名:
5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
ページ:
620-623
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930399
ISBN:
0-7803-0994-4
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)