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文献
J-GLOBAL ID：200902173095538090
整理番号：98A1005026
(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
Capacitor fabrication technology with(Ba, Sr)TiO3 thin films for Gbit-scale DRAMs.
加藤芳健
(NEC ULSIデバイス開研)
,
笠井直記
(NEC ULSIデバイス開研)
資料名：
応用物理
(JSAP International)
巻： 67 号： 11 ページ： 1239-1248 発行年： 1998年11月
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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