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文献
J-GLOBAL ID:200902173095538090   整理番号:98A1005026

(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術

Capacitor fabrication technology with(Ba, Sr)TiO3 thin films for Gbit-scale DRAMs.
著者 (2件):
加藤芳健
(NEC ULSIデバイス開研)
笠井直記
(NEC ULSIデバイス開研)

資料名:
応用物理  (JSAP International)

巻: 67  号: 11  ページ: 1239-1248  発行年: 1998年11月 
JST資料番号: F0252A  ISSN: 0369-8009  CODEN: OYBSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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