文献
J-GLOBAL ID:200902173104049129
整理番号:93A0977150
高耐圧集積回路のための新二重エピタキシャル層誘電体アイソレーション技術
A New Double Epitaxial Layer Dielectric Isolation Technology for HVICs.
著者 (3件):
NARAYANAN E M S
(Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
,
AMARATUNGA G
(Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
,
MILNE W I
(Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
資料名:
Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993
(Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993)
ページ:
113-118
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930580
ISBN:
0-7803-1314-3
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)