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文献
J-GLOBAL ID：200902173124495338
整理番号：98A0468326
シリコン(100)表面上の高度に安定なSi-C結合官能基化単分子層
Highly Stable Si-C Linked Functionalized Monolayers on the Silicon(100) Surface.
SIEVAL A B
(Wageningen Agricultural Univ., Wageningen, NLD)
,
DEMIREL A L
(FOM-Inst. Atomic and Molecular Physics, Amsterdam, NLD)
,
NISSINK J W M
(Utrecht Univ., Utrecht, NLD)
,
LINFORD M R
(Rohm and Haas Co., Pennsylvania)
,
VAN DER MAAS J H
(Utrecht Univ., Utrecht, NLD)
,
DE JEU W H
(FOM-Inst. Atomic and Molecular Physics, Amsterdam, NLD)
,
ZUILHOF H
(Wageningen Agricultural Univ., Wageningen, NLD)
,
SUDHOELTER E J R
(Wageningen Agricultural Univ., Wageningen, NLD)
資料名：
Langmuir
(Langmuir)
巻： 14 号： 7 ページ： 1759-1768 発行年： 1998年03月31日
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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