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J-GLOBAL ID：200902173289393815 整理番号：96A0829325

水素不動態化したシリコン表面の高純度オゾン酸化

High purity ozone oxidation on hydrogen passivated silicon surface.

著者 (2件)：

KUROKAWA A

(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

ICHIMURA S

(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

資料名：

Applied Surface Science (Applied Surface Science)

巻： 100/101 ページ： 436-439 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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