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文献
J-GLOBAL ID：200902173342206372
整理番号：02A0578015
Ni/SiCの界面反応のRaman分光
Raman study on the Ni/SiC interface reaction.
KURIMOTO E
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HARIMA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TODA T
(SANYO Electric Co., Osaka, JPN)
,
SAWADA M
(SANYO Electric Co., Osaka, JPN)
,
IWAMI M
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
NAKASHIMA S
(AIST, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 91 号： 12 ページ： 10215-10217 発行年： 2002年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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