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J-GLOBAL ID：200902173650132355 整理番号：97A0374782

窒化シリコンの原子層化学蒸着

Atomic-layer chemical-vapor-deposition of silicon-nitride.

著者 (3件)：

MORISHITA S

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

SUGAHARA S

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

MATSUMURA M

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

資料名：

Applied Surface Science (Applied Surface Science)

巻： 112 ページ： 198-204 発行年： 1997年03月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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