文献
J-GLOBAL ID:200902173703074646
整理番号:93A0180066
Si:BデルタMOSFETの相互コンダクタンスと移動度
Transconductance and Mobility of Si:B Delta MOSFET’s.
著者 (6件):
WOOD A C G
(Univ. Newcastle-upon-Tyne, Newcastle-upon-Tyne, GBR)
,
O’NEILL A G
(Univ. Newcastle-upon-Tyne, Newcastle-upon-Tyne, GBR)
,
PHILLIPS P J
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
BISWAS R G
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
WHALL T E
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
PARKER E H C
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
1
ページ:
157-162
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)