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文献
J-GLOBAL ID：200902173722597161
整理番号：93A0525969
Molecular beam epitaxial growth and characterization of (100) HgSe on GaAs.
BECKER C R
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
HE L
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
EINFELDT S
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
WU Y S
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
LERONDEL G
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
HEINKE H
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
OEHLING S
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
BICKNELL-TASSIUS R N
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
,
LANDWEHR G
(Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 127 号： 1/4 ページ： 331-334 発行年： 1993年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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