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文献
J-GLOBAL ID：200902173755745581
整理番号：99A0497716
保護酸化物層を用いたSi(111)上の,非常に平滑な表面を持った,非常に薄いエピタキシャルAl2O3予備層の形成
Formation of Very Thin Epitaxial Al2O3 Pre-layer with Very Smooth Surface on Si (111) Using a Protective Oxide Layer.
JUNG Y-C
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
MIURA H
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
ISHIDA M
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 4B ページ： 2333-2336 発行年： 1999年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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