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文献
J-GLOBAL ID：200902173779596242
整理番号：00A0963324
InxGa1-xAs(0≦x≦0.3)で覆われた自己集合InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性
Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0≦x≦0.3).
LIU H Y
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG X D
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WU J
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
XU B
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WEI Y Q
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
JIANG W H
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
DING D
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YE X L
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Z G
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 88 号： 6 ページ： 3392-3395 発行年： 2000年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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