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文献
J-GLOBAL ID：200902173788362556
整理番号：93A0350266
アルミニウムソースとしてトリメチルアミンアランを用いてガスソース分子ビームエピタクシーで成長させた,炭素ドープベースを持つ高電流利得AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
High Current Gain AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Carbon-Doped Base Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Trimethylamine Alane as the Aluminum Source.
YAMAURA S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
ANDO H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
OKAMOTO N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
SANDHU A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
TAKAHASHI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
FUJII T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
YOKOYAMA N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32 号： 3A ページ： L309-L311 発行年： 1993年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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