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J-GLOBAL ID：200902173831198781 整理番号：93A0653703

ニッケルイオンを注入したアモルファスシリコン薄膜のけい化物の形成とけい化物が仲介する結晶化

Silicide formation and silicide-mediated crystallization of nickel-implanted amorphous silicon thin films.

著者 (2件)：

HAYZELDEN C

(Harvard Univ., Massachusetts)

BATSTONE J L

(IBM Corp., New York)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 73 号： 12 ページ： 8279-8289 発行年： 1993年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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