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文献
J-GLOBAL ID：200902173846542837
整理番号：93A0774065
レーザによって変質した半導体ドープガラス中の非平衡電子-正孔プラズマの表面再結合
Surface recombination of nonequilibrium electron-hole plasma in laser-modified semiconductor-doped glasses.
JURSENAS S
(Vilnius Univ., Vilnius, SUN)
,
STRUMSKIS M
(Vilnius Univ., Vilnius, SUN)
,
ZUKAUSKAS A
(Vilnius Univ., Vilnius, SUN)
,
EKIMOV A I
(A.F Ioffe Physico-Technical Inst., Academy of Sciences of Russia, Sankt-Peterburg, SUN)
資料名：
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻： 87 号： 6 ページ： 577-580 発行年： 1993年08月
JST資料番号： H0499A ISSN： 0038-1098 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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