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文献
J-GLOBAL ID：200902173929632820
整理番号：02A0877081
テトラエチルオルトシリカートとO2ガスを用いたプラズマ促進化学蒸着と光酸化との組合せによるポリSi薄膜トランジスタ用の低温ゲート絶縁膜
Low-Temperature Gate Insulator for Poly-Si Thin Film Transistors by Combination of Photo-Oxidation and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and O2 Gases.
NAKATA Y
(SHARP Corp., Tenri-shi, JPN)
,
OKAMOTO T
(SHARP Corp., Tenri-shi, JPN)
,
HAMADA T
(SHARP Corp., Tenri-shi, JPN)
,
ITOGA T
(SHARP Corp., Tenri-shi, JPN)
,
ISHII Y
(SHARP Corp., Tenri-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E85-C 号： 11 ページ： 1849-1853 発行年： 2002年11月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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