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文献
J-GLOBAL ID：200902173931684209
整理番号：97A0704964
立方晶GaNの成長と特性評価
Growth and characterization of cubic GaN.
OKUMURA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OHTA K
(Shibaura Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FEUILLET G
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
BALAKRISHNAN K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
CHICHIBU S
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
HAMAGUCHI H
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
HACKE P
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 178 号： 1/2 ページ： 113-133 発行年： 1997年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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