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文献
J-GLOBAL ID：200902174017082710
整理番号：00A0154859
転位を除去するネッキング過程を使わない無転位Czochralskiけい素結晶の成長
Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without the Dislocation-Elimination-Necking Process.
HOSHIKAWA K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
HUANG X
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
TAISHI T
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
KAJIGAYA T
(Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., Ome, JPN)
,
IINO T
(Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., Ome, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 12A ページ： L1369-L1371 発行年： 1999年12月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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