文献
J-GLOBAL ID:200902174021361208
整理番号:01A0144088
短チャネル効果を減少させ駆動電流を増加させる,新規なSi/SiGeヘテロ接合pMOSFET
A Novel Si/SiGe Heterojunction pMOSFET with Reduced Short-Channel Effects and Enhanced Drive Current.
著者 (8件):
OUYANG Q
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
CHEN X
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
MUDANAI S P
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
WANG X
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
KENCKE D L
(Intel Corp., OR, USA)
,
TASCH A F
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
REGISTER L F
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
BANERJEE S K
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
47
号:
10
ページ:
1943-1949
発行年:
2000年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)