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文献
J-GLOBAL ID：200902174129410787
整理番号：99A0892761
SiO2/Si基板上に形成したSrBi2Ta2O9薄膜のメモリ特性
Memory properties of SrBi2Ta2O9 thin films prepared on SiO2/Si substrates.
XIONG S-B
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SAKAI S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 11 ページ： 1613-1615 発行年： 1999年09月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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