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文献
J-GLOBAL ID：200902174159298329
整理番号：97A0934939
低圧有機金属気相エピタクシーを用いて6H-SiC基板上に成長させたInGaNレーザダイオード
InGaN Laser Diode Grown on 6H-SiC Substrate Using Low-Pressure Metal Organic Vapor Phase Epitaxy.
KURAMATA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
DOMEN K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SOEJIMA R
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
HORINO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KUBOTA S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TANAHASHI T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 9A/B ページ： L1130-L1132 発行年： 1997年09月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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