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文献
J-GLOBAL ID：200902174166332796
整理番号：93A0897970
GaAs/AlGaAsマイクロ波ヘテロ接合バイポーラトランジスタの非常に高い電力密度のCW動作
Very High-Power-Density CW Operation of GaAs/AlGaAs Microwave Heterojunction Bipolar Transistors.
BAYRAKTAROGLU B
(North Carolina State Univ., NC)
,
BARRETTE J
(U.S. Air Force Wright Lab., OH)
,
KEHIAS L
(U.S. Air Force Wright Lab., OH)
,
HUANG C I
(U.S. Air Force Wright Lab., OH)
,
FITCH R
(U.S. Air Force Wright Lab., OH)
,
NEIDHARD R
(U.S. Air Force Wright Lab., OH)
,
SCHERER R
(U.S. Air Force Wright Lab., OH)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 14 号： 10 ページ： 493-495 発行年： 1993年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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