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文献
J-GLOBAL ID：200902174224005490
整理番号：95A0886280
Study of Microstructural Features and Electrophysical Properties of γ-Irradiated TiN-GaAs Junctions.
HOTOVY J
(Technological Univ., Bratislava, CSK)
,
ISMAILOV K A
(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)
,
KONAKOVA R V
(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)
,
MILENIN V V
(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)
,
PROKOPENKO I V
(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)
,
TKHORIK YU A
(Inst. Semiconductor Physics, Acad. Sci. Ukraine, Kiev, SUN)
資料名：
Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces
(Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces)
巻： 10 号： 8/9 ページ： 1096-1103 発行年： 1995年05月
JST資料番号： D0591C ISSN： 0734-1520 CODEN： PCMSER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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