文献
J-GLOBAL ID:200902174244683428
整理番号:99A0507425
転位密度の極端に低い(EPD≪1000CM-2)GaAsのVGF成長における残留転位のタイプの解析
Analysis of types of residual dislocations in the VGF growth of GaAs with extremely low dislocation density (EPD≪1000CM-2).
著者 (4件):
AMON J
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
HAERTWIG J
(European Synchrotron Radiation Facility(ESRF), Grenoble, FRA)
,
LUDWIG W
(European Synchrotron Radiation Facility(ESRF), Grenoble, FRA)
,
MUELLER G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
198/199
号:
Pt.1
ページ:
367-373
発行年:
1999年03月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)