前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902174309561074
整理番号：01A0162842
Gd2O3/GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
Gd2O3/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.
JOHNSON J W
(Univ. Florida, Florida)
,
LUO B
(Univ. Florida, Florida)
,
REN F
(Univ. Florida, Florida)
,
GILA B P
(Univ. Florida, Florida)
,
KRISHNAMOORTHY W
(Univ. Florida, Florida)
,
ABERNATHY C R
(Univ. Florida, Florida)
,
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
CHYI J I
(National Central Univ., Chung-Li, TWN)
,
CHUO C C
(National Central Univ., Chung-Li, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 20 ページ： 3230-3232 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。