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文献
J-GLOBAL ID：200902174323757224
整理番号：99A0046875
GaAs n-i-p構造の過渡容量測定における高抵抗率低温層の影響
Effects of High-Resistivity, Low-Temperature Layer in Transient Capacitance Measurements of GaAs n-i-p Structures.
CHEN J F
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WANG P Y
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN N C
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 10B ページ： L1238-L1240 発行年： 1998年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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