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文献
J-GLOBAL ID：200902174324929622
整理番号：98A0189274
ガンマ-Al2O3を中間層として用いたSi(001)基板上へのウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al2O3 as an intermediate layer.
WANG L
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU X
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZAN Y
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG J
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG D
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LU D-C
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Z
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 1 ページ： 109-111 発行年： 1998年01月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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