文献
J-GLOBAL ID:200902174357007496
整理番号:93A0194989
STMにより研究したGaAsの分子ビームエピタクシー成長
An STM study of molecular-beam epitaxy growth of GaAs.
著者 (5件):
SUDIJONO J
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
JOHNSON M D
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
ELOWITZ M B
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
SNYDER C W
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
ORR B G
(Univ. Michigan, MI, USA)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
280
号:
3
ページ:
247-257
発行年:
1993年01月10日
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)