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文献
J-GLOBAL ID：200902174357405866
整理番号：97A0127986
二段階で作製した勾配バンドギャップCu(InGa)Se2薄膜太陽電池におけるCu(InGa)(SeS)2表面層の役割
The role of Cu(InGa)(SeS)2 surface layer on a graded band-gap Cu(InGa)Se2 thin-film solar cell prepared by two-stage method.
KUSHIYA K
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
KURIYAGAWA S
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
KASE T
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
TACHIYUKI M
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
SUGIYAMA I
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
SATOH Y
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
SATOH M
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
,
TAKESHITA H
(Showa Shell Sekiyu K.K., Kanagawa, Pref, JPN)
資料名：
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 25th ページ： 989-992 発行年： 1996年
JST資料番号： E0756A ISSN： 0160-8371 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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