文献
J-GLOBAL ID:200902174457057288
整理番号:93A0319830
InGaAs/InPヘテロ接合型絶縁ゲートFETの電荷制御モデル化
Charge-Control Modeling of InGaAs/InP Heterojunction Insulated-Gate FET’s.
著者 (3件):
MARTIN E A
(Univ. Maryland, MD)
,
ILIADIS A A
(Univ. Maryland, MD)
,
AINA O A
(Allied-Signal Aerospace Co., MD)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
3
ページ:
466-470
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)