文献
J-GLOBAL ID:200902174485906959
整理番号:00A0075681
少数キャリア注入を使ったアニーリングによってプロセスされたGaNベースレーザダイオード
GaN-Based Laser Diodes Processed by Annealing with Minority-Carrier Injection.
著者 (7件):
MIYACHI M
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
OTA H
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
KIMURA Y
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
WATANABE A
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
TANAKA T
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
CHIKUMA K
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
38
号:
11A
ページ:
L1237-L1239
発行年:
1999年11月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)