文献
J-GLOBAL ID:200902174513453159
整理番号:00A0479733
新しいホットキャリア機構 バンド間トンネリング正孔誘起バイポーラホットエレクトロン(BBHBHE)
A Novel Hot Carrier Mechanism: Band-to-Band Tunneling Hole Induced Bipolar Hot Electron(BBHBHE).
著者 (6件):
LIN F R-L
(National Tsing-Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
POE C-H
(National Tsing-Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
YEH C-P
(Analogy Technol. Corp.(ATC))
,
WU P-H
(Analogy Technol. Corp.(ATC))
,
NI J
(Analogy Technol. Corp.(ATC))
,
HSU C C-H
(National Tsing-Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1999
ページ:
741-744
発行年:
1999年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)