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文献
J-GLOBAL ID：200902174619193377
整理番号：93A0664183
N+拡散結合型SOIの埋め込み酸化膜絶縁破壊耐圧
Dielectric Breakdown voltage of Buried Oxide in N+ Bonded SOI.
金井昭男
(信越半導体)
,
MANAP D A
(信越半導体)
,
中野正剛
(信越半導体)
,
大木好
(信越半導体)
,
三谷清
(信越半導体)
,
片山正健
(信越半導体)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th 号： Pt 2 ページ： 734 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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