文献
J-GLOBAL ID:200902174664709716
整理番号:00A0644366
故意に形成させた「V欠陥」がGaInN単一量子井戸の発光効率に及ぼす効果
Effect of Intentionally Formed ‘V-Defects’ on the Emission Efficiency of GaInN Single Quantum Well.
著者 (6件):
TAKAHASHI H
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
ITO A
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
TANAKA T
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
WATANABE A
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
OTA H
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
,
CHIKUMA K
(Pioneer Corp., Saitama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
6B
ページ:
L569-L571
発行年:
2000年06月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)