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文献
J-GLOBAL ID：200902174672655242
整理番号：00A0845188
ディープサブミクロン歪みSi N-MOSFETの作成および解析
Fabrication and Analysis of Deep Submicron Strained-Si N-MOSFET’s.
RIM K
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HOYT J L
(Stanford Univ., CA, USA)
,
GIBBONS J F
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 7 ページ： 1406-1415 発行年： 2000年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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