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文献
J-GLOBAL ID：200902174700955206
整理番号：00A0164010
リッジ型InGaAs/InAlAs量子ワイヤ電界効果トランジスタにおけるN形状負性微分低抗の観察
Observation of N-shaped negative differential resistance in ridge-type InGaAs/InAlAs quantum wire field-effect transistor.
KIM S J
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SUGAYA T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OGURA M
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SUGIYAMA Y
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TOMIZAWA K
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 272 号： 1/4 ページ： 117-122 発行年： 1999年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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