文献
J-GLOBAL ID:200902174767012942
整理番号:98A0042618
アルミニウムイオンを注入した低抵抗で耐圧1400Vの4H炭化けい素のプレーナ型p-nダイオード
Planar aluminum-implanted 1400V 4H silicon carbide p-n diodes with low on resistance.
著者 (4件):
PETERS D
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
SCHOERNER R
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
HOELZLEIN K-H
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
FRIEDRICHS P
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
71
号:
20
ページ:
2996-2997
発行年:
1997年11月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)