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文献
J-GLOBAL ID：200902174792903894
整理番号：93A0309001
Si(001)上Ge薄層のその場酸化 GeOからSiO2への遷移の観察
In situ oxidation of a thin layer of Ge on Si(001): Observation of GeO to SiO2 transition.
PRABHAKARAN K
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
NISHIOKA T
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
SUMITOMO K
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI Y
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
OGINO T
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 62 号： 8 ページ： 864-866 発行年： 1993年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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