文献
J-GLOBAL ID:200902174842528305
整理番号:95A0788461
プラズマ促進化学蒸着の初期段階における水素化非晶質シリコンの表面形態
Surface Morphologies of Hydrogenated Amorphous Silicon at the Early Stages of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition.
著者 (4件):
DEKI H
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
FUKUDA M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAZAKI S
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
34
号:
8B
ページ:
L1027-L1030
発行年:
1995年08月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)