文献
J-GLOBAL ID:200902174902677216
整理番号:99A0419989
0.25μm CMOS論理埋め込みFeRAMのためのCMVP(Capacitor-on-Metal/Via-stacked-Plug)メモリセル
Capacitor-on Metal/Via-stacked-Plug(CMVP) Memory Cell for 0.25μm CMOS Embedded FeRAM.
著者 (7件):
AMANUMA K
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
MAEJIMA Y
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
TAKAHASHI S
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
HADA H
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
OKIZAKI H
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
KUNIO T
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1998
ページ:
363-366
発行年:
1998年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)