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文献
J-GLOBAL ID：200902174956072727
整理番号：02A0802249
0.10μmDRAM用MIM/Ta2O5キャパシタプロセスの開発
Development of MIM/Ta2O5 Capacitor Process for 0.10 μm DRAM.
浅野勇
(エルピーダメモリ)
,
中村吉孝
(エルピーダメモリ)
,
平谷正彦
(日立 中研)
,
生田目俊秀
(日立 日立研)
,
飯島晋平
(エルピーダメモリ)
,
佐伯智則
(日立 生産技研)
,
二瀬卓也
(日立超LSIシステムズ)
,
山本智志
(日立 デバイス開セ)
,
関口敏宏
(エルピーダメモリ)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C
(IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C 号： 10 ページ： 934-943 発行年： 2002年10月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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