文献
J-GLOBAL ID:200902174972466425
整理番号:93A0289242
NチャネルMOSFETのフリッカ雑音に対するホットエレクトロン注入の効果
The effect of hot-electron injection on the properties of flicker noise in n-channel MOSFETs.
著者 (2件):
CHENG C-H
(Northeastern Univ., MA, USA)
,
SURYA C
(Northeastern Univ., MA, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
36
号:
3
ページ:
475-479
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)