文献
J-GLOBAL ID:200902175099874330
整理番号:93A0539667
GaAs上へのY1Ba2Cu3O7-xのMOCVDのための緩衝層の蒸着
Deposition of Buffer Layers for MOCVD of Y1Ba2Cu3O7-x on GaAs.
著者 (6件):
MUSOLF J
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
BOEKE E
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
WAFFENSCHMIDT E
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HE X
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HEUKEN M
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
,
HEIME K
(RWTH Aachen, Aachen, DEU)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
195
号:
1/2
ページ:
295-298
発行年:
1993年05月10日
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)