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文献
J-GLOBAL ID：200902175104575931
整理番号：95A0422330
Q帯パワー用高効率単一パルスドープ型Al0.60In0.40As/GaInAs/InP HEMT
High efficiency single pulse doped Al0.60In0.40As/GaInAs/InP HEMTs for Q-band power applications.
HUR K Y
(Raytheon Co., MA, USA)
,
MCTAGGART R A
(Raytheon Co., MA, USA)
,
VENTRESCA M P
(Raytheon Co., MA, USA)
,
WOHLERT R
(Raytheon Co., MA, USA)
,
HOKE W E
(Raytheon Co., MA, USA)
,
LEMONIAS P J
(Raytheon Co., MA, USA)
,
KAZIOR T E
(Raytheon Co., MA, USA)
,
AUCOIN L M
(Raytheon Co., MA, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 31 号： 7 ページ： 585-586 発行年： 1995年03月30日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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