文献
J-GLOBAL ID:200902175107843244
整理番号:94A0040377
高温アニーリング中のSi-SiO2界面における点欠陥の発生
Point defect generation during high temperature annealing of the Si-SiO2 interface.
著者 (5件):
DEVINE R A B
(France T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Meylan, FRA)
,
MATHIOT D
(France T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Meylan, FRA)
,
WARREN W L
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
FLEETWOOD D M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
ASPAR B
(Centre d’Etudes Nucl<span style=text-decoration:overline>e ́</span>aires de Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
21
ページ:
2926-2928
発行年:
1993年11月22日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)