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文献
J-GLOBAL ID：200902175181757473
整理番号：99A0624620
プラズマ援助MBEによって成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造における高移動度の二次元電子ガス
High mobility two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
ELSASS C R
(Univ. California, California)
,
SMORCHKOVA I P
(Univ. California, California)
,
HEYING B
(Univ. California, California)
,
FINI P
(Univ. California, California)
,
MARANOWSKI K
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
PETROFF P M
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 23 ページ： 3528-3530 発行年： 1999年06月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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