文献
J-GLOBAL ID:200902175183426687
整理番号:99A0988906
化学蒸着ZnSバッファ層を持つ,高効率カドミウムフリーCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池
High-Efficiency Cadmium-Free Cu(In,Ga)Se2 Thin-Film Solar Cells with Chemically Deposited ZnS Buffer Layers.
著者 (3件):
NAKADA T
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
FURUMI K
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KUNIOKA A
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
46
号:
10
ページ:
2093-2097
発行年:
1999年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)