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文献
J-GLOBAL ID：200902175203147712
整理番号：01A0285740
室温でCH2I2からUVレーザ蒸着したa-C:Hの成長機構
On the growth mechanism of UV laser deposited a-C:H from CH2I2 at room temperature.
LINDSTAM M
(Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
,
BOMAN M
(Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
,
PIGLMAYER K
(Johannes Kepler Univ., Linz, AUT)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 172 号： 3/4 ページ： 200-206 発行年： 2001年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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