文献
J-GLOBAL ID:200902175318448716
整理番号:02A0182545
電源電圧1.8VのみのNANDフラッシュメモリ用回路技術
Circuit Techniques for a 1.8-V-Only NAND Flash Memory.
著者 (4件):
TANZAWA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TANAKA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKEUCHI K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NAKAMURA H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
37
号:
1
ページ:
84-89
発行年:
2002年01月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)