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文献
J-GLOBAL ID：200902175331361077
整理番号：02A0865094
分子線エピタクシーで成長させた1.3~1.6μm長波長レーザのためのGaInNAsSb
GaInNAsSb for 1.3-1.6-μm-Long Wavelength Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy.
GAMBIN V
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HA W
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WISTEY M
(Stanford Univ., CA, USA)
,
YUEN H
(Stanford Univ., CA, USA)
,
BANK S R
(Stanford Univ., CA, USA)
,
KIM S M
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HARRIS J S JR
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 8 号： 4 ページ： 795-800 発行年： 2002年07月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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